--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
40NF20-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。該器件具有200V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)、3V的柵極閾值電壓(Vth)、38mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))(在VGS=10V時(shí))、45A的漏極電流(ID),采用Trench技術(shù)。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**:40NF20-VB
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:200V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:38mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:45A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
40NF20-VB 適用于多種領(lǐng)域和模塊:
1. **電源開關(guān)**:
由于其高漏源電壓和適度的漏極電流,40NF20-VB 可以用作各種電源開關(guān)應(yīng)用的開關(guān)器件,包括開關(guān)電源、逆變器和穩(wěn)壓器。它能夠在高壓環(huán)境下提供可靠的開關(guān)功能。
2. **電動(dòng)工具**:
該器件適用于電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車等高功率應(yīng)用。其能夠處理適度的電流和高壓,提供可靠的功率傳輸和控制。
3. **電力管理**:
在需要管理和控制電力的應(yīng)用中,如智能電網(wǎng)和工業(yè)電力系統(tǒng),40NF20-VB 可以用于開關(guān)和調(diào)節(jié)電力流動(dòng),確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
4. **太陽能逆變器**:
由于太陽能逆變器需要處理高壓和適度電流,40NF20-VB 可以用作逆變器中的開關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)太陽能能量的有效轉(zhuǎn)換。
綜上所述,40NF20-VB 在各種需要處理高壓和適度電流的應(yīng)用中都具有廣泛的應(yīng)用前景,能夠提供可靠的功率管理和控制功能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛