--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、4226AGM-VB 產(chǎn)品簡介
4226AGM-VB是一款雙N+N溝道MOSFET,采用SOP8封裝。該產(chǎn)品具有30V的漏源極電壓(VDS),20V的柵源極電壓(VGS),1.7V的閾值電壓(Vth),以及8.5A的漏極電流(ID)。4226AGM-VB采用溝槽技術(shù),提供高性能和可靠性。
### 二、4226AGM-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|--------------------|--------------------------|
| 封裝 | SOP8 |
| 配置 | 雙N+N溝道 |
| 漏源極電壓 (VDS) | 30V |
| 柵源極電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 20mΩ @ VGS=4.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 16mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 8.5A |
| 技術(shù) | 溝槽技術(shù) (Trench) |

### 三、4226AGM-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理模塊**:
由于4226AGM-VB具有雙N+N溝道結(jié)構(gòu),可用于需要高效能耗和可靠性的電源管理模塊,如服務(wù)器電源、工業(yè)電源等。
2. **電動車輛**:
在電動車輛的電源管理系統(tǒng)中,4226AGM-VB可用于電池管理和驅(qū)動控制,幫助實(shí)現(xiàn)高效能耗和高性能。
3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
4226AGM-VB可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的開關(guān)和控制器件,提供精確的控制和高效運(yùn)行。
4. **電源轉(zhuǎn)換器**:
4226AGM-VB適用于各種類型的電源轉(zhuǎn)換器,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器,有助于提高轉(zhuǎn)換效率和降低熱耗。
綜上所述,4226AGM-VB MOSFET具有廣泛的應(yīng)用前景,在多個領(lǐng)域中都能發(fā)揮重要作用,特別適用于需要高性能開關(guān)器件的應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它