### 產(chǎn)品簡介

**型號：** 4226BGM-VB  
**封裝：** SOP8  
**配置：** 雙N+N溝道MOSFET  
**主要參數(shù)：**
- 漏源電壓 (VDS)：30V
- 柵源電壓 (VGS)：±20V
- 閾值電壓 (Vth)：1.7V
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：12mΩ @ VGS=4.5V，10mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID)：13.5A
- 技術(shù)：Trench（溝槽型）

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱            | 參數(shù)值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | 30V                |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±20V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | 1.7V               |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))   | 12mΩ @ VGS=4.5V    |
|                   | 10mΩ @ VGS=10V     |
| 漏極電流 (ID)        | 13.5A              |
| 功率耗散 (Ptot)      | 36W                |
| 輸入電容 (Ciss)      | 11600pF            |
| 輸出電容 (Coss)      | 1600pF             |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 300pF              |
| 開啟時間 (ton)       | 9.5ns              |
| 關(guān)斷時間 (toff)      | 13ns               |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封裝類型            | SOP8               |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **功率管理**：4226BGM-VB適用于各種功率管理應(yīng)用，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率放大器和開關(guān)電源等。其雙N+N溝道結(jié)構(gòu)使其能夠處理高功率和高效率的功率轉(zhuǎn)換。

2. **電動汽車**：在電動汽車的電機驅(qū)動系統(tǒng)中，這款MOSFET可以用于電動汽車控制器、充電樁和電池管理系統(tǒng)等模塊，確保系統(tǒng)的高效運行和安全性。

3. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，這款MOSFET可用于電機驅(qū)動器、變頻器和工業(yè)電源等模塊，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理。

4. **消費電子**：適用于消費電子產(chǎn)品，如平板電腦、智能手機和家用電器等的電源管理模塊，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

5. **通信設(shè)備**：在通信設(shè)備中，這款MOSFET可以應(yīng)用于功率放大器、射頻開關(guān)和功率控制模塊等，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和高效性。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的具體例子，可以看出4226BGM-VB SOP8 MOSFET因其高功率、高效率的特性在多個領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。