--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
4501GM-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的雙N+P溝道MOSFET,采用SOP8封裝。該器件具有±30V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)、1.6V(N溝道)和-1.7V(P溝道)的柵極閾值電壓(Vth)、24mΩ(N溝道)和50mΩ(P溝道)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))(在VGS=4.5V時(shí))、18mΩ(N溝道)和40mΩ(P溝道)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))(在VGS=10V時(shí))、±8A的漏極電流(ID),采用Trench技術(shù)。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:4501GM-VB
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.6V(N溝道)和-1.7V(P溝道)
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- N溝道:24mΩ @ VGS=4.5V,18mΩ @ VGS=10V
- P溝道:50mΩ @ VGS=4.5V,40mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:±8A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
4501GM-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**:
由于其雙N+P溝道設(shè)計(jì),4501GM-VB 可以用作電源管理中的開關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)電源的雙極性控制和管理。
2. **功率逆變器**:
在需要實(shí)現(xiàn)雙極性功率逆變的應(yīng)用中,4501GM-VB 可以用作功率逆變器的關(guān)鍵器件,實(shí)現(xiàn)高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換。
3. **電動(dòng)工具**:
由于其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻,4501GM-VB 可以用作電動(dòng)工具中的驅(qū)動(dòng)器件,如電動(dòng)扳手、電動(dòng)剪刀等。
4. **電動(dòng)車充電器**:
在需要實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車雙極性電池充電的應(yīng)用中,4501GM-VB 可以用作充電器的關(guān)鍵器件,實(shí)現(xiàn)高效、可靠的充電控制。
綜上所述,4501GM-VB 在需要雙極性控制和高效功率管理的應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景,能夠提供可靠、高效的功率控制和管理功能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛