--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
4503SS-VB 是一款雙N+P-通道MOSFET,采用SOP8封裝。它具有±30V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS),以及1.6V(N-通道)和-1.7V(P-通道)的閾值電壓(Vth)。該器件采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù)制造,具有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻特性,在VGS為4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為24mΩ(N-通道)和50mΩ(P-通道),在VGS為10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為18mΩ(N-通道)和40mΩ(P-通道)。其最大漏電流(ID)為±8A,適用于高效能源管理和開關(guān)電路。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+P-通道
- **漏源電壓(VDS)**:±30V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:
- N-通道:1.6V
- P-通道:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V:
- N-通道:24mΩ
- P-通道:50mΩ
- @ VGS=10V:
- N-通道:18mΩ
- P-通道:40mΩ
- **漏電流(ID)**:±8A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
4503SS-VB MOSFET適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,具體包括但不限于:
1. **電源管理**:
- 在高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器中,4503SS-VB可用作開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效率的電能轉(zhuǎn)換和功率傳輸。
- 在電池充放電管理系統(tǒng)中,該器件能夠提供精確的電流控制和電壓穩(wěn)定性。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
- 在工業(yè)和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高效的電流開關(guān)和精確的電機(jī)控制,提升設(shè)備的性能和可靠性。
- 在電動(dòng)工具和家用電器中,能夠有效控制電機(jī)的速度和轉(zhuǎn)矩輸出。
3. **電源適配器和充電器**:
- 在筆記本電腦和智能手機(jī)的充電器中,4503SS-VB能夠提供高效率的電能轉(zhuǎn)換和快速充電功能,同時(shí)保持設(shè)備的安全性。
- 在各類便攜式設(shè)備的充電管理中,能夠延長電池壽命并提高充電效率。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**:
- 在PLC(可編程邏輯控制器)和工業(yè)控制系統(tǒng)中,該器件可用于驅(qū)動(dòng)各種執(zhí)行器和傳感器,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。
- 在機(jī)器人技術(shù)中,能夠?qū)崿F(xiàn)精確的運(yùn)動(dòng)控制和自動(dòng)化流程的高效執(zhí)行。
通過以上示例,可以看出4503SS-VB在現(xiàn)代電子設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力和優(yōu)越的性能特性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛