--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、4513GM-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
4513GM-VB是一款先進(jìn)的雙通道MOSFET,采用SOP8封裝,集成了一個(gè)N溝道和一個(gè)P溝道的MOSFET。它設(shè)計(jì)用于提供高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,適用于各種電源管理和功率控制應(yīng)用。采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù)制造,4513GM-VB具有優(yōu)異的電氣性能,適合要求高性能和可靠性的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
### 二、4513GM-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**: SOP8
- **配置**: 雙通道(N+P)
- **漏源極電壓 (VDS)**: ±30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: N溝道:1.6V, P溝道:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- @VGS=4.5V: N溝道:24mΩ, P溝道:50mΩ
- @VGS=10V: N溝道:18mΩ, P溝道:40mΩ
- **漏極電流 (ID)**: ±8A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**:
- 4513GM-VB適用于各種電源管理模塊,特別是需要高效能和穩(wěn)定性的DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率,并減少系統(tǒng)能量損耗。
2. **電動(dòng)工具**:
- 在電動(dòng)工具和家用電器中,這款MOSFET可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器件,支持高電流驅(qū)動(dòng)和快速開(kāi)關(guān)操作。它能夠有效管理電機(jī)的功率供應(yīng),提升設(shè)備的性能和耐用性。
3. **LED照明**:
- 在LED照明系統(tǒng)中,4513GM-VB可用于開(kāi)關(guān)電源和調(diào)光控制電路。它能夠?qū)崿F(xiàn)LED燈的穩(wěn)定亮度調(diào)節(jié)和高效能的電源管理,支持各種室內(nèi)和外部照明應(yīng)用。
4. **汽車(chē)電子**:
- 由于其高壓耐受能力和可靠性,這款MOSFET適用于汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動(dòng)控制。例如,用于電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和動(dòng)力電池管理系統(tǒng)中的電池保護(hù)和電流控制。
4513GM-VB以其優(yōu)越的性能特點(diǎn)和多樣化的應(yīng)用場(chǎng)景,為現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計(jì)提供了可靠的解決方案和支持。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛