--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
4517GM-VB是VBsemi公司推出的一款高性能MOSFET,采用SOP8封裝。作為一款雙通道(N溝道和P溝道)MOSFET,4517GM-VB具有出色的電氣特性和可靠性,適用于多種電源管理和開關(guān)電路應(yīng)用。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:SOP8
- **配置**:雙通道(N溝道 + P溝道)
- **漏源電壓(VDS)**:±30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:1.6V(N溝道),-1.7V(P溝道)
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- VGS=4.5V時:24mΩ(N溝道),50mΩ(P溝道)
- VGS=10V時:18mΩ(N溝道),40mΩ(P溝道)
- **漏極電流(ID)**:±8A
- **技術(shù)類型**:溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
4517GM-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**:
- 在電源管理系統(tǒng)中,4517GM-VB可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器,以提供高效能的能量轉(zhuǎn)換和電池管理。其低導(dǎo)通電阻和高漏源電壓特性使其適用于各種功率需求。
2. **電池保護(hù)和充放電控制**:
- 作為電池管理系統(tǒng)(BMS)的一部分,4517GM-VB可用于電池保護(hù)、充放電控制和電池均衡,確保電池系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
3. **電動工具和電動車輛**:
- 在電動工具和電動車輛的電機(jī)驅(qū)動中,4517GM-VB能夠提供高效的電機(jī)控制和驅(qū)動能力,支持快速開關(guān)和低功耗操作。
4. **工業(yè)自動化**:
- 在工業(yè)自動化設(shè)備中,如工業(yè)機(jī)器人和自動化生產(chǎn)線,4517GM-VB可用于各種開關(guān)和控制電路,以提高系統(tǒng)的精確度和響應(yīng)速度。
5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
- 在智能手機(jī)、平板電腦和家庭電子設(shè)備中,4517GM-VB可以應(yīng)用于電源管理和開關(guān)電路,支持設(shè)備的高效能運(yùn)行和長電池壽命。
通過采用4517GM-VB MOSFET,設(shè)計(jì)工程師能夠?qū)崿F(xiàn)高效、穩(wěn)定的電源管理和控制解決方案,滿足多樣化的電子設(shè)備需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它