--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO247
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**型號(hào):47NM60ND-VB**
47NM60ND-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO247封裝。它具有高耐壓能力和高電流承載能力,適用于要求高功率和高可靠性的電子應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO247
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:75mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:47A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(多重EPI結(jié)構(gòu))

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
47NM60ND-VB 單N溝道MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:
1. **工業(yè)電源**:適用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的高壓開(kāi)關(guān)和穩(wěn)定器,如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、電力電子設(shè)備和高功率LED照明系統(tǒng)。
2. **電動(dòng)車(chē)輛**:用作電動(dòng)車(chē)輛的電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,支持高效能量轉(zhuǎn)換和電動(dòng)車(chē)輛的高速運(yùn)行。
3. **電力傳輸和分配**:在電力傳輸系統(tǒng)和電力分配裝置中,作為關(guān)鍵的高壓開(kāi)關(guān)元件,確保電力傳輸?shù)姆€(wěn)定性和安全性。
4. **電池儲(chǔ)能系統(tǒng)**:用于電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的電池管理和充放電控制,支持可再生能源系統(tǒng)和儲(chǔ)能設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
5. **醫(yī)療設(shè)備**:在醫(yī)療成像設(shè)備、激光器和高頻電源中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出,確保設(shè)備的可靠性和精確性。
47NM60ND-VB 基于其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻特性,適用于對(duì)功率密度和效率要求高的復(fù)雜電子系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用,為用戶提供了可靠和高性能的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛