--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
4856NG-VB是一款單通道N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),封裝形式為TO252。它具有極低的導(dǎo)通電阻、高漏極電流承載能力和穩(wěn)定的性能特性,適用于需要高電流控制和低功耗的應(yīng)用場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單通道N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵源極電壓(VGS)**: 20V(±V)
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
4856NG-VB適用于多種需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景,以下是具體的一些應(yīng)用示例:
1. **電源管理**: 在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源開關(guān)單元和功率放大器中,4856NG-VB可以用作功率開關(guān)元件,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和功率控制。
2. **電動工具**: 在電動工具、電動車輛和航空航天設(shè)備中,該MOSFET可用于電動馬達(dá)的高功率驅(qū)動和速度控制,以及電池管理系統(tǒng)中的電池充放電控制。
3. **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)中,4856NG-VB能夠提供穩(wěn)定的電源管理和功率分配,適用于各種機(jī)器人控制、自動化生產(chǎn)線和工業(yè)設(shè)備驅(qū)動。
4. **電動車輛充電系統(tǒng)**: 在電動車輛的充電樁和充電控制系統(tǒng)中,該器件可以用于高效的電池充電管理和功率分配,提高充電效率并確保電池安全。
通過以上應(yīng)用示例,4856NG-VB展示了其在多個領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,為電子設(shè)備和系統(tǒng)提供了可靠的功率管理和控制解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它