--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、4N03L04-VB 產(chǎn)品簡介
4N03L04-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于需要高功率密度和高效率的電子電路設(shè)計。采用溝槽(Trench)技術(shù)制造,4N03L04-VB能夠提供可靠的電源管理和功率開關(guān)性能。
### 二、4N03L04-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- @VGS=4.5V: 4mΩ
- @VGS=10V: 3mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源模塊**:
- 4N03L04-VB適用于高功率密度的電源模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,用于工業(yè)自動化、通信設(shè)備和消費電子產(chǎn)品。
2. **電動工具**:
- 在電動工具和家用電器的電源管理中,4N03L04-VB可以用于電動機的控制和功率開關(guān),提升設(shè)備的效能和可靠性。
3. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統(tǒng)中,特別是需要高電流和高功率的驅(qū)動電路,4N03L04-VB可以用于電池管理單元和電機控制,支持車輛的動力系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
4. **工業(yè)控制**:
- 在工業(yè)自動化和機器人控制系統(tǒng)中,4N03L04-VB用作電機驅(qū)動器和電源管理單元,確保設(shè)備在惡劣環(huán)境中的可靠操作和高效能。
4N03L04-VB因其優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高電流承載能力,適合于多種需要高功率和高效率的電子設(shè)備和系統(tǒng)應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12