--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
4N03L09-VB是一款單通道N溝道MOSFET,采用先進的Trench技術(shù),封裝形式為TO252。它具有低導(dǎo)通電阻、高漏源極電流承載能力和穩(wěn)定的性能特性,適用于高效能量轉(zhuǎn)換和電源管理應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單通道N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵源極電壓(VGS)**: 20V(±V)
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏源極電流(ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
4N03L09-VB適用于多種需要高電流、低壓降的電子應(yīng)用場合,以下是具體的應(yīng)用示例:
1. **電源管理**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,4N03L09-VB可作為功率開關(guān)元件,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. **電動工具**: 作為電動工具如電動鉆、電動錘的電機驅(qū)動控制器件,能夠提供可靠的功率輸出和高效的能源利用。
3. **電動汽車充電設(shè)備**: 在電動車輛充電樁的直流充電器中,4N03L09-VB用作功率開關(guān)單元,支持快速充電和高效的電能轉(zhuǎn)換。
4. **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,包括PLC控制、電機驅(qū)動和電源管理,4N03L09-VB可以提供穩(wěn)定的電力控制和高效的功率管理。
通過這些應(yīng)用示例可以看出,4N03L09-VB適用于需要高功率密度和高效率的電子設(shè)備和系統(tǒng),為各種應(yīng)用場景提供了可靠的電源管理和功率控制解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12