--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
4N0401-VB是一款單通道N型MOSFET,采用先進的Trench技術(shù)設計,封裝為TO220。它具有40V的漏源電壓額定值,適用于高功率要求的電子應用。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**:TO220
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:20(±V)
- **開啟電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:180A
- **技術(shù)**:Trench

### 應用領域及模塊
4N0401-VB適用于多種高功率和低導通電阻要求的電子應用,例如:
1. **電源開關**:在高功率電源開關中,4N0401-VB可以提供低導通電阻和高效的功率轉(zhuǎn)換能力,適合用于工業(yè)設備和高性能電源系統(tǒng)。
2. **電動車輛**:作為電動車輛電機驅(qū)動器的一部分,4N0401-VB能夠承受高電流并有效地管理電源,支持電動車輛的高效能量轉(zhuǎn)換和驅(qū)動控制。
3. **工業(yè)自動化**:在工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)中,4N0401-VB可用作高功率開關和電源管理器件,確保設備的可靠運行和高效的能量管理。
4. **高性能電源模塊**:在需要高功率密度和高效能轉(zhuǎn)換的電源模塊中,4N0401-VB可以提供穩(wěn)定的電壓輸出和優(yōu)異的能量轉(zhuǎn)換效率。
4N0401-VB MOSFET通過其高電流承載能力和低導通電阻,適用于多種需要高功率和高效能轉(zhuǎn)換的電子設備和系統(tǒng)。
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