91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

4N0402D-VB一款Dual-N+N溝道TO263-7L的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 4N0402D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263-7L
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

4N0402D-VB 是一款雙通道 N-Channel 和 P-Channel MOSFET,采用先進的 Trench 技術制造,封裝為 TO263-7L。它具有極低的導通電阻和高電流承載能力,適合需要高效能和高功率的電子應用設計。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 4N0402D-VB
- **封裝**: TO263-7L
- **配置**: Dual-N+N-Channel (雙通道 N-Channel 和 P-Channel)
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - @VGS = 10V: 1mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**: 200A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊舉例

4N0402D-VB 可以廣泛應用于以下領域和模塊:

1. **電源管理**:
  - **電源開關**: 在高效率和高功率的電源轉換器中,用于開關電路,實現(xiàn)高效能的能量轉換和電力管理。
  - **電動工具**: 在電動工具和電動車輛中,作為電機控制的關鍵部件,支持高功率輸出和動力管理。

2. **汽車電子**:
  - **電動汽車**: 用于電動汽車的電動驅動系統(tǒng)和電池管理單元,支持高效能的電動驅動和能源管理。
  - **車載電子**: 在車身控制單元和動力傳輸系統(tǒng)中,用于電池保護和動力控制,確保車輛的安全和高效運行。

3. **工業(yè)應用**:
  - **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)機器人和自動化生產(chǎn)線中,作為高功率電機控制和動態(tài)系統(tǒng)管理的重要組成部分,實現(xiàn)精確的運動控制和高效的生產(chǎn)操作。
  - **電源管理**: 在工業(yè)設備和電源轉換單元中,提供穩(wěn)定可靠的電力管理和高效的電能轉換。

4. **通信設備**:
  - **基站和網(wǎng)絡設備**: 作為射頻功率放大器的驅動器和開關,支持高速數(shù)據(jù)傳輸和穩(wěn)定的通信連接。
  - **無線通信模塊**: 在移動通信設備和網(wǎng)絡基礎設施中,提供信號放大和頻譜管理功能,增強通信系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。

4N0402D-VB 通過其優(yōu)異的電性能和高可靠性,適用于多種要求高功率和高效率的復雜電子設計和工程項目。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    555瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    478瀏覽量