--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 4STS8816-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
4STS8816-VB 是一款雙 N+N-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用 SOT23-6 封裝。它具有低漏極-源極電壓(20V)和中等電流處理能力,適合于小功率應(yīng)用場(chǎng)合。
### 4STS8816-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝形式**: SOT23-6
- **配置**: 雙 N+N-溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 2.5V
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
#### 電源管理與轉(zhuǎn)換
由于其低漏極-源極電壓和中等電流處理能力,4STS8816-VB 可以用于小功率電源管理和轉(zhuǎn)換電路中,如移動(dòng)設(shè)備的電源管理、DC-DC 變換器和充電電路中的開關(guān)控制。
#### 電池保護(hù)和充放電管理
在需要保護(hù)和管理電池的電路中,4STS8816-VB 可以作為充放電開關(guān)元件。它能夠有效控制電池的充放電過(guò)程,保護(hù)電池免受過(guò)電流和過(guò)壓的損害。
#### 小型電子設(shè)備和傳感器控制
在小型電子設(shè)備和傳感器控制電路中,需要高效的電路開關(guān)和控制元件。4STS8816-VB 的小封裝和適中的性能特點(diǎn)使其成為這些應(yīng)用的理想選擇,如便攜式設(shè)備、傳感器接口電路等。
#### 模擬信號(hào)開關(guān)和調(diào)節(jié)
在需要對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行開關(guān)和調(diào)節(jié)的應(yīng)用中,如音頻信號(hào)處理、模擬傳感器信號(hào)處理等,4STS8816-VB 可以提供穩(wěn)定的開關(guān)特性和低電壓降,確保信號(hào)的清晰和準(zhǔn)確性。
通過(guò)以上示例,可以看出 4STS8816-VB 是一款適用于小功率電子設(shè)備和控制電路的 MOSFET,特別適合要求低電壓、中等電流處理能力的各種電源管理、電池保護(hù)和小型控制應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛