--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 51SSF2418E-VB SOT23-6 MOSFET 產(chǎn)品簡介
51SSF2418E-VB 是一款雙N+N溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝。該器件具備20V的漏極電壓(VDS)和±20V的柵極電壓(VGS)額定值,閾值電壓(Vth)在0.5V到1.5V范圍內(nèi)可調(diào)。采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為2.5V時為28毫歐,VGS為4.5V時為24毫歐,能夠提供最大6A的漏極電流(ID)。適用于低電壓和中電流負(fù)載開關(guān)和電流控制應(yīng)用,具有良好的導(dǎo)通特性和熱穩(wěn)定性。
### 51SSF2418E-VB SOT23-6 MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝 | SOT23-6 |
| 配置 | 雙N+N溝道 |
| 漏極電壓 (VDS) | 20V |
| 柵極電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 0.5V 到 1.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=2.5V | 28mΩ |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 24mΩ |
| 漏極電流 (ID) | 6A |
| 技術(shù) | Trench |

### 51SSF2418E-VB SOT23-6 MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **移動設(shè)備**:適用于智能手機、平板電腦等移動設(shè)備中的電池管理和電源開關(guān),提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電力輸出。
2. **消費電子**:在家用電子產(chǎn)品如電視機、音響系統(tǒng)的電源管理和開關(guān)控制中,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和節(jié)能。
3. **電子配件**:用于電子設(shè)備的電源開關(guān)模塊和電路保護(hù)單元,提供可靠的電力管理和短路保護(hù)功能。
4. **工業(yè)自動化**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中的電機驅(qū)動和電源開關(guān)單元,如PLC控制器和電動執(zhí)行器,確保高效的生產(chǎn)操作和設(shè)備保護(hù)。
#### 模塊舉例
1. **移動電源**:51SSF2418E-VB 可用于移動電源中的電池管理和充電控制模塊,提供穩(wěn)定的電力輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。
2. **電動工具**:在電動工具的電機驅(qū)動單元中,用于控制電機的啟停和速度調(diào)節(jié),提供可靠的功率輸出和電流管理。
3. **消費電子產(chǎn)品**:如智能家居設(shè)備和家用電子產(chǎn)品的電源管理單元,確保設(shè)備的安全使用和長壽命運行。
由于其靈活的閾值電壓調(diào)節(jié)范圍和適中的電流承受能力,51SSF2418E-VB SOT23-6 MOSFET 是適用于多種低電壓和中電流負(fù)載開關(guān)和電流控制應(yīng)用的理想選擇,能夠提供穩(wěn)定的電力管理和高效的能量轉(zhuǎn)換。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12