--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 55N03-VB 產(chǎn)品簡介
55N03-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用 TO252 封裝。它具有低漏極-源極電壓(30V)和高電流處理能力,適合于高性能電子設(shè)備和功率管理應(yīng)用。
### 55N03-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝形式**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
#### 電源管理和功率放大器
55N03-VB 可以作為功率放大器和高性能電源管理電路中的關(guān)鍵元件,用于提供高效的功率放大和穩(wěn)定的電流控制。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在音頻放大器和功率逆變器中表現(xiàn)出色。
#### 電動工具和電動車輛
在電動工具和電動車輛的電動驅(qū)動系統(tǒng)中,如電動摩托車和電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,55N03-VB 可以用作電機控制和電流開關(guān),確保高效的能源轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)的高性能。
#### 工業(yè)控制和自動化設(shè)備
在工業(yè)控制系統(tǒng)和自動化設(shè)備中,如工業(yè)機器人、自動化生產(chǎn)線和PLC控制系統(tǒng)中,55N03-VB 可以提供可靠的電流開關(guān)和高效的能源管理,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和節(jié)能效果。
#### 通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心電源分配
在通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心的電源分配系統(tǒng)中,55N03-VB 可以用作高性能開關(guān)電源和電流調(diào)節(jié)器,確保設(shè)備在高頻率和高功率下的穩(wěn)定運行和低能耗。
通過以上示例,可以看出 55N03-VB 在高性能電子系統(tǒng)和功率管理領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力,特別適合需要高效能能源管理和穩(wěn)定性能的應(yīng)用場合。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12