--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SC70-3
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 5LP02M-VB 產(chǎn)品簡介
5LP02M-VB 是一款單 P-Channel 溝道 MOSFET,采用 SC70-3 封裝,適用于要求小尺寸和低功耗的電子應(yīng)用。該器件具有負(fù)漏極-源極電壓(-60V)和低靜態(tài)功耗特性,適合需要有效的功率開關(guān)和電源管理解決方案。
### 5LP02M-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:SC70-3
- **器件配置**:單 P-Channel 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:-60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 5000mΩ @ VGS = 4.5V
- 4000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:-0.135A (注意:這里是負(fù)數(shù),表示器件的漏極電流為反向)
- **技術(shù)特點(diǎn)**:Trench(溝道技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
5LP02M-VB 可以在以下領(lǐng)域和模塊中得到應(yīng)用:
1. **便攜式設(shè)備**:適用于便攜式電子設(shè)備中的低功耗電源管理和電池保護(hù)電路,如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式醫(yī)療設(shè)備。
2. **電池保護(hù)**:用作電池管理系統(tǒng)中的電池保護(hù)開關(guān),能夠有效地控制電池充放電過程,保護(hù)電池和設(shè)備免受過電流和過壓的損害。
3. **消費(fèi)類電子**:在便攜式音頻設(shè)備、手持游戲機(jī)和個人電子產(chǎn)品中,作為功率開關(guān)和電源管理器件,提供高效的電源控制和節(jié)能特性。
4. **傳感器接口**:用于傳感器信號調(diào)節(jié)和接口電路中,提供可靠的電流調(diào)節(jié)和信號處理功能。
5. **汽車電子**:作為汽車電子系統(tǒng)中的小功率開關(guān)和控制器,用于車輛內(nèi)部的電氣控制和低功耗電路設(shè)計。
綜上所述,5LP02M-VB SC70-3 MOSFET 由于其小型封裝、低功耗特性和適合負(fù)漏極電壓的設(shè)計,特別適用于便攜式設(shè)備、電池保護(hù)、消費(fèi)類電子、傳感器接口和汽車電子等多個應(yīng)用領(lǐng)域,為電子產(chǎn)品提供高效的電源管理和控制解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它