91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

5N40L-TN3-R-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 5N40L-TN3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、5N40L-TN3-R-VB 產(chǎn)品簡介

5N40L-TN3-R-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。它具有高漏極-源極電壓(650V)、適中的閾值電壓(Vth)、以及較高的漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=10V為1000mΩ。該器件采用SJ_Multi-EPI技術(shù),適合用于高壓應(yīng)用場合。

### 二、5N40L-TN3-R-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:5A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

5N40L-TN3-R-VB MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
  - 由于其高漏極-源極電壓和適中的導(dǎo)通電阻,5N40L-TN3-R-VB 適用于電源轉(zhuǎn)換器的開關(guān)電路,如AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器,在工業(yè)和消費電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用。

2. **電機驅(qū)動**:
  - 在各種類型的電機驅(qū)動系統(tǒng)中,包括工業(yè)驅(qū)動和家用電器驅(qū)動,5N40L-TN3-R-VB 可以用作電機控制開關(guān),提供高效率和可靠性。

3. **照明應(yīng)用**:
  - 適用于LED驅(qū)動和其他照明設(shè)備的開關(guān)電源,幫助實現(xiàn)高效能耗節(jié)約的照明解決方案。

4. **電動車充電器**:
  - 在電動車充電器中,5N40L-TN3-R-VB 可以作為開關(guān)管,控制電池充電過程中的電流和電壓,保證充電過程安全和高效。

5. **電池管理系統(tǒng)**:
  - 用于電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)電路,保護電池免受過電流和過壓的損害,并實現(xiàn)對電池充放電過程的精確控制。

通過以上示例,說明了5N40L-TN3-R-VB MOSFET 在高壓電源、電機控制、照明和電動車充電等領(lǐng)域中的應(yīng)用優(yōu)勢和適用性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    554瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    473瀏覽量