--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 產(chǎn)品簡介
5N50KL-TF3-T-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。該器件適用于高壓應(yīng)用,具有650V的漏極-源極電壓(VDS),柵極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V。采用Plannar技術(shù)制造,具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),為1100mΩ @ VGS=10V,但能提供最大7A的漏極電流(ID),適合于需要承受高電壓和中等電流的應(yīng)用場合。
### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝 | TO220F |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | 650V |
| 柵極電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 1100mΩ |
| 漏極電流 (ID) | 7A |
| 技術(shù) | Plannar |

### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:用于設(shè)計(jì)和制造高壓直流至直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器和交流至直流(AC-DC)電源轉(zhuǎn)換器。
2. **電動車充電樁**:在電動車充電樁的電源管理和控制模塊中,提供穩(wěn)定的電流控制和高效率的功率轉(zhuǎn)換。
3. **工業(yè)自動化**:用于高壓工業(yè)設(shè)備和自動化系統(tǒng)中的電源開關(guān)和控制。
#### 模塊舉例
1. **電源模塊**:集成在電源模塊中,用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備的電源管理和開關(guān)控制。
2. **電動車充電模塊**:用于電動車充電樁中,確保高效、安全和可靠的電池充電過程。
5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 由于其高壓能力和中等電流特性,是許多需要高壓耐受和中等功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛