91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

5N50L-TN3-R-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 5N50L-TN3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

5N50L-TN3-R-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適合高壓應(yīng)用環(huán)境。其設(shè)計(jì)旨在提供可靠的開關(guān)和調(diào)節(jié)性能,適用于各種需要高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻的電路設(shè)計(jì)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

5N50L-TN3-R-VB在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:

1. **電源管理**:
  由于其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,適用于電源開關(guān)和調(diào)節(jié)電路中??梢杂糜陂_關(guān)電源電路的開關(guān)管或調(diào)節(jié)器件,確保高效能的能量轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)車充電樁**:
  在電動(dòng)車充電樁和電動(dòng)車充電器設(shè)計(jì)中,需要處理高電壓和高電流的情況。5N50L-TN3-R-VB可用作電池充電管理系統(tǒng)中的開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)快速和高效的充電過程。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**:
  在工業(yè)控制和自動(dòng)化系統(tǒng)中,需要處理各種負(fù)載并要求高電壓和高電流承受能力的場(chǎng)合,如電機(jī)控制、電源開關(guān)和電力調(diào)節(jié)器件等。

4. **照明應(yīng)用**:
  在LED驅(qū)動(dòng)器和高壓照明系統(tǒng)中,5N50L-TN3-R-VB可用作開關(guān)電源的關(guān)鍵組成部分,幫助實(shí)現(xiàn)高效能的照明解決方案。

5. **電動(dòng)工具**:
  在電動(dòng)工具和電動(dòng)設(shè)備的電源管理中,尤其是需要處理電動(dòng)機(jī)啟停和電源調(diào)節(jié)的應(yīng)用場(chǎng)景中,這款MOSFET可以提供可靠的性能和長期穩(wěn)定性。

綜上所述,5N50L-TN3-R-VB由于其優(yōu)異的電性能和高壓承受能力,適合在各種要求高效能和可靠性的電路設(shè)計(jì)中廣泛應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    554瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    473瀏覽量