--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:** 5N60-VB TO220
**封裝:** TO220
**配置:** 單N溝道
**VDS:** 650V
**VGS:** 30(±V)
**Vth:** 3.5V
**RDS(ON):** 2200mΩ @ VGS=10V
**ID:** 4A
**技術(shù):** 平面型
5N60-VB TO220是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220封裝,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和30V的柵極-源極電壓(VGS)。其開啟電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2200mΩ(在VGS=10V時),最大連續(xù)漏極電流(ID)為4A。這款MOSFET使用平面型技術(shù),適用于高壓應(yīng)用場景。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|-------------------|-----------|
| 型號 | 5N60-VB TO220 |
| 封裝 | TO220 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 650V |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 30(±V) |
| 門限電壓(Vth) | 3.5V |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 2200mΩ @ VGS=10V |
| 最大連續(xù)漏極電流(ID)| 4A |
| 技術(shù) | 平面型 |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **開關(guān)電源(Switching Power Supplies):**
5N60-VB TO220 MOSFET可以用于開關(guān)電源模塊中,由于其高壓特性和低導(dǎo)通電阻,能夠提高電源效率和穩(wěn)定性。在這種應(yīng)用中,該器件可以作為主開關(guān)管來實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。
2. **電機(jī)驅(qū)動(Motor Drivers):**
在電機(jī)驅(qū)動電路中,5N60-VB TO220 MOSFET能夠通過其高電流和高電壓特性,提供可靠的電機(jī)控制和保護(hù)。該器件能夠處理電機(jī)啟動和運(yùn)行過程中產(chǎn)生的高瞬態(tài)電流,確保電機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行。
3. **光伏逆變器(Photovoltaic Inverters):**
在光伏逆變器中,5N60-VB TO220 MOSFET能夠幫助實現(xiàn)DC到AC的高效能量轉(zhuǎn)換。其高耐壓和高電流能力使其適用于處理太陽能板輸出的高電壓和電流,從而提升系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。
4. **工業(yè)自動化(Industrial Automation):**
該MOSFET在工業(yè)自動化設(shè)備中,可以用于各種控制和驅(qū)動電路,例如在PLC、伺服驅(qū)動器等模塊中,憑借其高可靠性和高效能,能夠確保設(shè)備長期穩(wěn)定運(yùn)行。
通過這些應(yīng)用場景,5N60-VB TO220 MOSFET顯示出其在高壓、高效能轉(zhuǎn)換需求下的卓越性能,是多種工業(yè)和電力應(yīng)用中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12