--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**5N60-VB TO220F**是一款高性能單N溝道功率MOSFET,具有高電壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。其設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)對高效率、高可靠性和高性能的需求。該產(chǎn)品采用TO220F封裝,適用于各種開關(guān)電源和電機(jī)控制應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 5N60-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**5N60-VB TO220F** MOSFET在許多應(yīng)用領(lǐng)域和模塊中都能發(fā)揮其優(yōu)勢,以下是一些典型的應(yīng)用場景:
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:
- 在開關(guān)電源中,MOSFET用于高頻開關(guān),以實(shí)現(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換。5N60-VB憑借其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻,非常適合用于需要高效率和高可靠性的開關(guān)電源中,特別是大功率AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. **電機(jī)控制**:
- 在電機(jī)控制應(yīng)用中,如無刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動器,MOSFET用于控制電流流動,從而調(diào)節(jié)電機(jī)速度和方向。5N60-VB的高電流和高電壓能力使其適用于需要高性能和可靠性的電機(jī)控制模塊。
3. **照明系統(tǒng)**:
- 現(xiàn)代照明系統(tǒng),特別是LED驅(qū)動電路,廣泛使用MOSFET進(jìn)行電源管理。5N60-VB的高電壓特性使其適用于高壓LED驅(qū)動電路,提供穩(wěn)定的電流控制,提高系統(tǒng)效率。
4. **太陽能逆變器**:
- 在太陽能逆變器中,MOSFET用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。5N60-VB憑借其高電壓和高效率特性,非常適合用于太陽能逆變器中的功率開關(guān)部分,確保高效的能量轉(zhuǎn)換。
5. **電動汽車充電器**:
- 電動汽車充電器需要高效和可靠的電源管理,MOSFET在其中起到關(guān)鍵作用。5N60-VB的高電流和高電壓能力使其能夠滿足電動汽車充電器的苛刻要求,提供穩(wěn)定和高效的充電解決方案。
通過上述領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用示例,可以看出5N60-VB TO220F MOSFET的廣泛適用性和高性能特性,為各種電子設(shè)備和系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛