--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**5N65L-TN3-T-VB**是一款高性能單N溝道功率MOSFET,設(shè)計用于滿足高電壓和高效率的應(yīng)用需求。采用TO252封裝,適合于各種功率電子系統(tǒng)和控制應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: 5N65L-TN3-T-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2750mΩ @ VGS = 4.5V
- 2200mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**5N65L-TN3-T-VB** MOSFET適用于多種高壓功率應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
- 在各種電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET用于功率開關(guān)和調(diào)節(jié)電流。5N65L-TN3-T-VB的高漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻使其特別適合用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器(SMPS),例如臺式電腦電源和服務(wù)器電源單元。
2. **工業(yè)自動化**:
- 在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,需要高效能和可靠性的功率MOSFET來控制各種設(shè)備和機器。5N65L-TN3-T-VB能夠在高壓和高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行,適用于各種自動化設(shè)備的功率控制和開關(guān)。
3. **電動工具**:
- 電動工具,如電動鉆、電動鋸等,需要高性能的電源管理系統(tǒng)以確保持續(xù)高效的操作。這款MOSFET的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其成為電動工具控制電路中的理想選擇。
4. **太陽能逆變器**:
- 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,逆變器需要高效能的MOSFET來將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。5N65L-TN3-T-VB通過其高電壓特性和低導(dǎo)通電阻,可用于提高太陽能逆變器的能效和可靠性。
5. **電動汽車充電器**:
- 在電動汽車充電器中,要求高效率和高穩(wěn)定性的電源管理。這款MOSFET可用于電動汽車充電器中的功率開關(guān)部分,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的充電過程。
以上示例展示了5N65L-TN3-T-VB MOSFET的廣泛應(yīng)用性和高性能特征,適用于多種電子設(shè)備和功率控制系統(tǒng)。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12