91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

5N95K5-VB TO252一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 5N95K5-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**5N95K5-VB** 是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為高壓開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。具有900V的擊穿電壓和2A的連續(xù)漏極電流能力,該器件適用于需要高電壓和中等電流處理能力的應(yīng)用場合。其采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),提供了良好的導(dǎo)通特性和穩(wěn)定的性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: 5N95K5-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**: 900V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2700mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI(多重環(huán)保浸潤)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源逆變器(Power Inverters)**:
  - 5N95K5-VB 在高壓電源逆變器中表現(xiàn)出色,能夠有效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,適用于太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)等領(lǐng)域。

2. **電動車充電器(Electric Vehicle Chargers)**:
  - 在電動車充電設(shè)備中,該MOSFET可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和充電控制模塊,提供高效能耗管理和穩(wěn)定的充電功能。

3. **工業(yè)電源供應(yīng)(Industrial Power Supplies)**:
  - 在工業(yè)自動化和電力管理系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠處理高壓和中等電流的電力需求,提供可靠的電源轉(zhuǎn)換和管理。

4. **照明控制(Lighting Control)**:
  - 在LED驅(qū)動和其他照明控制應(yīng)用中,5N95K5-VB 可以幫助實現(xiàn)高效的電能管理和光亮調(diào)節(jié)。

5. **電機(jī)驅(qū)動(Motor Drives)**:
  - 雖然其電流能力較低,但在需要處理中等功率電機(jī)的應(yīng)用中,如家用電器和小型工業(yè)機(jī)械中,該MOSFET也可以發(fā)揮作用,提供有效的電力控制和保護(hù)。

綜上所述,5N95K5-VB 作為一款高壓、中等電流處理能力的N溝道MOSFET,適用于多種需要穩(wěn)定電力管理和高壓轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消費電子應(yīng)用場合,為系統(tǒng)的性能提升和能耗優(yōu)化提供了可靠的解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    554瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    473瀏覽量