--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:** 5R140P-VB TO220F
**封裝:** TO220F
**配置:** 單N溝道
**VDS:** 650V
**VGS:** 30(±V)
**Vth:** 3.5V
**RDS(ON):** 160mΩ @ VGS=10V
**ID:** 20A
**技術(shù):** SJ_Multi-EPI
5R140P-VB TO220F是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和30V的柵極-源極電壓(VGS)。其開啟電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為160mΩ(在VGS=10V時),最大連續(xù)漏極電流(ID)為20A。這款MOSFET采用SJ_Multi-EPI技術(shù),結(jié)合了多重外延技術(shù),適用于高電壓、高電流和低導(dǎo)通電阻的要求。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|-------------------|-----------|
| 型號 | 5R140P-VB TO220F |
| 封裝 | TO220F |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 650V |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 30(±V) |
| 門限電壓(Vth) | 3.5V |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 160mΩ @ VGS=10V |
| 最大連續(xù)漏極電流(ID)| 20A |
| 技術(shù) | SJ_Multi-EPI |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **電動車充電樁(EV Charging Stations):**
5R140P-VB TO220F MOSFET適用于電動車充電樁的直流充電模塊中。其高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠提供高效的電源開關(guān)控制,處理充電樁中的高電流要求,確保充電效率和速度。
2. **工業(yè)電源模塊(Industrial Power Modules):**
在工業(yè)電源模塊中,這款MOSFET可以用作開關(guān)管,用于處理工廠設(shè)備和機械的電源控制。其高電壓能力和低導(dǎo)通電阻確保了工業(yè)設(shè)備的高效運行和可靠性。
3. **電力逆變器(Power Inverters):**
在電力逆變器中,5R140P-VB TO220F MOSFET能夠幫助實現(xiàn)從直流電到交流電的高效能量轉(zhuǎn)換。它能夠處理逆變器中的高電壓和電流要求,提升逆變器的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。
4. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)(Electric Vehicle Drive Systems):**
在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電動機控制電路,處理高電壓和高電流的要求。它能夠提供可靠的電機驅(qū)動和效率,支持電動汽車的高性能和長續(xù)航能力。
通過以上示例,5R140P-VB TO220F MOSFET展示了其在高壓、高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用場景中的優(yōu)越性能,適合于電動車充電、工業(yè)電源和電動車驅(qū)動等多個領(lǐng)域的關(guān)鍵電路設(shè)計。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12