--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**5R280CE-VB TO252**是一款高性能單N溝道功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于中高電壓和中等電流應(yīng)用環(huán)境。采用TO252封裝,適合于各種功率電子系統(tǒng)和控制應(yīng)用,特別是需要高效率和可靠性能的場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 5R280CE-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 290mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 14A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**5R280CE-VB TO252**適用于以下多個(gè)領(lǐng)域和模塊,以提供穩(wěn)定和高效的功率控制:
1. **電動工具**:
- 在電動工具如電動鉆、電動鋸等的電源管理系統(tǒng)中,需要高效率和可靠的功率開關(guān)器件來提供穩(wěn)定的電流和功率輸出。5R280CE-VB的中等電流承受能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于電動工具中的功率控制電路。
2. **工業(yè)自動化**:
- 工業(yè)自動化設(shè)備和系統(tǒng)中,需要能夠承受中等電壓并提供可靠性能的功率開關(guān)器件。這款MOSFET可用于工業(yè)機(jī)器人、自動化生產(chǎn)線等的電源管理和功率控制部分,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能量轉(zhuǎn)換。
3. **電源適配器**:
- 小型電子設(shè)備如筆記本電腦電源適配器需要緊湊型和高效率的電源管理電路。5R280CE-VB可用于電源適配器中的功率開關(guān)部分,以提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
4. **UPS系統(tǒng)**:
- 不間斷電源系統(tǒng)(UPS)需要能夠在電網(wǎng)斷電時(shí)提供穩(wěn)定電力輸出的功率開關(guān)器件。這款MOSFET可用于UPS系統(tǒng)中的功率開關(guān)單元,確保關(guān)鍵設(shè)備在電力故障時(shí)持續(xù)供電并保護(hù)設(shè)備不受損害。
5. **太陽能逆變器**:
- 在太陽能電力系統(tǒng)中,逆變器需要能夠承受中等電壓并實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。5R280CE-VB的高效率和可靠性使其成為太陽能逆變器中的理想選擇,提高系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。
通過以上示例,可以看出5R280CE-VB TO252 MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域和應(yīng)用模塊中的廣泛適用性,為電子工程師和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提供了靈活和高效的功率開關(guān)解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛