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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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5R399P-VB TO247一款Single-N溝道TO247的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 5R399P-VB TO247
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO247
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**型號:** 5R399P-VB TO247  
**封裝:** TO247  
**配置:** 單N溝道  
**VDS:** 500V  
**VGS:** 30(±V)  
**Vth:** 3.8V  
**RDS(ON):** 80mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 40A  
**技術:** SJ_Multi-EPI

5R399P-VB TO247是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO247封裝,具有500V的漏極-源極電壓(VDS)和30V的柵極-源極電壓(VGS)。其開啟電壓(Vth)為3.8V,導通電阻(RDS(ON))為80mΩ(在VGS=10V時),最大連續(xù)漏極電流(ID)為40A。該MOSFET采用SJ_Multi-EPI技術,結合了多重外延技術,適用于高電壓、高電流和低導通電阻要求的應用場合。

### 詳細參數說明

| 參數                | 數值        |
|-------------------|-----------|
| 型號                | 5R399P-VB TO247 |
| 封裝                | TO247      |
| 配置                | 單N溝道     |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 500V       |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 30(±V)   |
| 門限電壓(Vth)      | 3.8V       |
| 導通電阻(RDS(ON))  | 80mΩ @ VGS=10V |
| 最大連續(xù)漏極電流(ID)| 40A        |
| 技術                | SJ_Multi-EPI |

### 應用領域與模塊舉例

1. **工業(yè)電源模塊(Industrial Power Modules):**
  5R399P-VB TO247 MOSFET適用于工業(yè)電源模塊中的高電壓開關應用。其高電流能力和低導通電阻特性使其適合于工廠設備和大型機械的電源控制,確保設備的穩(wěn)定運行和高效能量轉換。

2. **電動車充電樁(EV Charging Stations):**
  在電動車充電樁的直流充電模塊中,這款MOSFET能夠提供可靠的電源開關控制。它能夠處理充電樁中的高電流要求,確保電動車快速充電和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

3. **太陽能逆變器(Solar Inverters):**
  在太陽能逆變器中,5R399P-VB TO247 MOSFET能夠處理從太陽能板到交流電網的能量轉換。其高電壓能力和低導通電阻有助于提升逆變器的效率和性能。

4. **高性能電源模塊(High-Performance Power Modules):**
  在需要處理高電壓和高電流的高性能電源模塊中,這款MOSFET可以作為關鍵的電源開關元件。其穩(wěn)定的電性能和高負載能力使其適合于各種工業(yè)和商業(yè)應用中的電源管理和控制。

通過以上示例,5R399P-VB TO247 MOSFET展示了其在高壓、高電流和低導通電阻應用場景中的優(yōu)越性能,適合于工業(yè)電源、電動車充電、太陽能逆變和高性能電源模塊等多個領域的關鍵電路設計。

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