--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、60N03GJ-VB產(chǎn)品簡介
60N03GJ-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,由VBsemi生產(chǎn),采用TO251封裝。該器件設(shè)計(jì)用于低電壓應(yīng)用,具備30V的漏源電壓和高達(dá)100A的最大漏極電流能力。采用Trench技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻和高效能特性,適合要求高功率密度和高效能的應(yīng)用場合。
### 二、60N03GJ-VB詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | TO251 | 典型的三引腳封裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單一N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 30V | 適用于低電壓應(yīng)用 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±20V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 1.7V | 柵源開啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=4.5V** | 4.5mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 3.5mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 100A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | Trench | Trench溝道結(jié)構(gòu),提供低導(dǎo)通電阻和高效能 |

### 三、60N03GJ-VB的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
60N03GJ-VB適用于多種低電壓、高功率應(yīng)用場景:
1. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
- **應(yīng)用場景**:適用于電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。
- **示例**:在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,60N03GJ-VB能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換和快速的電動(dòng)機(jī)響應(yīng),確保設(shè)備的高性能和長壽命。
2. **電源管理**
- **應(yīng)用場景**:用于電源開關(guān)和電源管理模塊。
- **示例**:在各類電子設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中,60N03GJ-VB能夠提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和高效的功率控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和能效優(yōu)化。
3. **電池保護(hù)**
- **應(yīng)用場景**:適用于鋰電池保護(hù)電路中的功率開關(guān)。
- **示例**:在移動(dòng)電子設(shè)備和便攜式電源系統(tǒng)中,60N03GJ-VB能夠作為鋰電池保護(hù)電路的關(guān)鍵組成部分,確保電池充放電過程中的安全性和效率。
4. **低壓直流-直流轉(zhuǎn)換器**
- **應(yīng)用場景**:用于低壓直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)和控制。
- **示例**:在通信設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,60N03GJ-VB能夠提供高效的直流轉(zhuǎn)換和電能管理,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和系統(tǒng)的可靠性。
總之,60N03GJ-VB是一款設(shè)計(jì)精良、性能優(yōu)越的MOSFET,適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理、電池保護(hù)和低壓直流-直流轉(zhuǎn)換器等多種低電壓、高功率應(yīng)用場合,為各類電子設(shè)備提供可靠的功率控制和電能轉(zhuǎn)換解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛