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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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60N06-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 60N06-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 60N06-VB  
**封裝:** TO263  
**配置:** 單N溝道  
**VDS:** 60V  
**VGS:** 20(±V)  
**Vth:** 1.7V  
**RDS(ON):** 
- 12mΩ @ VGS=4.5V  
- 11mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 75A  
**技術(shù):** Trench

60N06-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝,適用于中功率應用。它具有60V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS),以及1.7V的門限電壓(Vth)。其導通電阻(RDS(ON))在不同柵極-源極電壓下為12mΩ(在VGS=4.5V時)和11mΩ(在VGS=10V時),最大連續(xù)漏極電流(ID)為75A。采用Trench技術(shù)的設(shè)計,能夠提供優(yōu)異的導通特性和高效的功率管理能力。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 數(shù)值        |
|-------------------|-----------|
| 型號                | 60N06-VB   |
| 封裝                | TO263      |
| 配置                | 單N溝道     |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 60V        |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 20(±V)   |
| 門限電壓(Vth)      | 1.7V       |
| 導通電阻(RDS(ON))  | 12mΩ @ VGS=4.5V, 11mΩ @ VGS=10V |
| 最大連續(xù)漏極電流(ID)| 75A        |
| 技術(shù)                | Trench    |

### 應用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源模塊(Power Modules):**
  60N06-VB MOSFET適用于各類電源模塊中的功率開關(guān)電路。其低導通電阻和高電流能力使其能夠有效地處理中功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出需求。

2. **電動工具和電動車輛(Power Tools and Electric Vehicles):**
  在需要處理中等功率和高電流的電動工具和電動車輛中,這款MOSFET可以作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件。其優(yōu)秀的電性能和穩(wěn)定的工作特性有助于提升設(shè)備的功率密度和運行效率。

3. **電源管理單元(Power Management Units):**
  在需要高效能量管理和穩(wěn)定電壓輸出的應用中,如電源管理單元和電動機控制器中,60N06-VB MOSFET可以提供可靠的電源開關(guān)控制和功率管理。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converters):**
  在需要進行高效率電能轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié)的DC-DC轉(zhuǎn)換器中,這款MOSFET能夠支持各種便攜設(shè)備和電子產(chǎn)品的電能管理需求。

通過以上示例,60N06-VB MOSFET展示了其在中功率、高電流和高效能量管理應用場景中的優(yōu)越性能,適合于電源模塊、電動工具、電動車輛、電源管理單元和DC-DC轉(zhuǎn)換器等多個領(lǐng)域的關(guān)鍵電路設(shè)計。

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