91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

60N900U2G-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 60N900U2G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、60N3LH5-VB產(chǎn)品簡介

60N3LH5-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,由VBsemi生產(chǎn)。該器件適用于低壓高電流應用,具備30V的漏源電壓和高達80A的最大漏極電流能力。采用Trench技術,提供極低的導通電阻和高效的電能轉換能力,適合要求高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)設計。

### 二、60N3LH5-VB詳細參數(shù)說明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | TO252 | 表面安裝封裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單一N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 30V | 適用于低壓高電流應用 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±20V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 1.7V | 柵源開啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=4.5V** | 6mΩ | 導通電阻 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 5mΩ | 導通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 80A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術** | Trench | Trench溝道結構,提供極低的導通電阻和高效的電能轉換能力 |

### 三、60N3LH5-VB的應用領域和模塊

60N3LH5-VB適用于多種低壓高電流的電子設備和系統(tǒng):

1. **電動工具**
  - **應用場景**:適用于電動工具中的高功率電機驅動模塊。
  - **示例**:在電動工具如電動錘和高性能電動工具的電機驅動系統(tǒng)中,60N3LH5-VB能夠提供高效的功率開關和快速的電機響應,確保設備的高性能和長壽命。

2. **電動車輛**
  - **應用場景**:用于電動車輛中的電池管理和電機驅動系統(tǒng)。
  - **示例**:在電動汽車和電動自行車的電池管理和電機驅動控制系統(tǒng)中,60N3LH5-VB能夠提供高效的能量轉換和穩(wěn)定的功率輸出,確保車輛的動力性能和能效優(yōu)化。

3. **電源模塊**
  - **應用場景**:適用于各類電源模塊中的功率開關和電源管理。
  - **示例**:在工業(yè)自動化和通信設備的電源模塊中,60N3LH5-VB能夠提供穩(wěn)定的電能轉換和高效的功率控制,確保設備的穩(wěn)定運行和長期可靠性。

4. **直流-直流轉換器**
  - **應用場景**:用于直流-直流轉換器中的功率開關和電能轉換。
  - **示例**:在數(shù)據(jù)中心和通信基礎設施的直流-直流轉換器中,60N3LH5-VB能夠提供高效的直流轉換和電能管理,確保設備的穩(wěn)定運行和能效優(yōu)化。

總之,60N3LH5-VB是一款設計先進、性能優(yōu)越的MOSFET,適合低壓高電流的電動工具、電動車輛、電源模塊和直流-直流轉換器等多種應用場合,為各類電子設備提供可靠的功率控制和電能轉換解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    553瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    473瀏覽量