--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:** 60T03AH-VB
**封裝:** TO252
**配置:** 單N溝道
**VDS:** 30V
**VGS:** 20(±V)
**Vth:** 1.7V
**RDS(ON):**
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
**ID:** 80A
**技術(shù):** Trench
60T03AH-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于中功率應(yīng)用。它具有30V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS),以及1.7V的門限電壓(Vth)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵極-源極電壓下為6mΩ(在VGS=4.5V時)和5mΩ(在VGS=10V時),最大連續(xù)漏極電流(ID)為80A。采用Trench技術(shù)的設(shè)計,能夠提供優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高效的功率管理能力。

### 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|-------------------|-----------|
| 型號 | 60T03AH-VB |
| 封裝 | TO252 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 30V |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 20(±V) |
| 門限電壓(Vth) | 1.7V |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V |
| 最大連續(xù)漏極電流(ID)| 80A |
| 技術(shù) | Trench |
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **電源管理(Power Management):**
60T03AH-VB適用于各類中功率電源管理應(yīng)用中的開關(guān)電路和穩(wěn)壓電路。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力可以確保高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出特性。
2. **電動工具(Power Tools):**
在電動工具中,需要處理高電流和頻繁開關(guān)的應(yīng)用場景。60T03AH-VB作為功率開關(guān)元件,能夠提供可靠的電源控制和高效的電動工具運行。
3. **消費電子(Consumer Electronics):**
在各種消費電子設(shè)備中,如平板電腦、游戲機和家用電器,需要高效的電源管理和穩(wěn)定的電壓輸出。這款MOSFET可以應(yīng)用于電源模塊和功率管理單元,以提升設(shè)備的性能和能效。
4. **電動車輛(Electric Vehicles):**
在電動車輛的動力電子系統(tǒng)中,60T03AH-VB可以用作電動機驅(qū)動器和電池管理系統(tǒng)的關(guān)鍵組件,支持高效能量轉(zhuǎn)換和優(yōu)化的驅(qū)動控制。
通過以上示例,60T03AH-VB MOSFET展示了其在中功率電源管理、電動工具、消費電子和電動車輛等領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,以支持各種需求下的高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定運行。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12