--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、62YW-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介
62YW-VB是一款雙N+N溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝,由VBsemi生產(chǎn)。該器件適用于低壓應(yīng)用,具備20V的漏源電壓和6A的最大漏極電流能力。采用Trench技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻和高效能特性,適合需要緊湊尺寸和高性能的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
### 二、62YW-VB詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | SOT23-6 | 表面安裝封裝 |
| **配置** | 雙N+N溝道 | 雙N溝道和雙P溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 20V | 適用于低壓應(yīng)用 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±12V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 0.5~1.5V | 柵源開啟電壓范圍 |
| **RDS(ON) @ VGS=2.5V** | 28mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **RDS(ON) @ VGS=4.5V** | 22mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 6A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | Trench | Trench溝道結(jié)構(gòu),提供低導(dǎo)通電阻和高效能特性 |

### 三、62YW-VB的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
62YW-VB適用于多種低壓高電流的電子設(shè)備和系統(tǒng):
1. **移動(dòng)設(shè)備**
- **應(yīng)用場(chǎng)景**:適用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的電源管理和功率開關(guān)模塊。
- **示例**:在移動(dòng)設(shè)備的充電管理和電池保護(hù)電路中,62YW-VB能夠提供高效的功率開關(guān)和穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換,確保設(shè)備的充電效率和電池壽命。
2. **消費(fèi)電子**
- **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于消費(fèi)電子產(chǎn)品如電視機(jī)和音響系統(tǒng)中的功率放大和音頻驅(qū)動(dòng)電路。
- **示例**:在家庭娛樂設(shè)備的功率放大器和音頻驅(qū)動(dòng)模塊中,62YW-VB能夠提供高保真的音頻輸出和穩(wěn)定的功率控制,提升用戶體驗(yàn)和設(shè)備性能。
3. **工業(yè)控制**
- **應(yīng)用場(chǎng)景**:適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率開關(guān)控制。
- **示例**:在工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人控制系統(tǒng)中,62YW-VB能夠提供可靠的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精確的功率控制,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和長(zhǎng)期可靠性。
4. **車載電子**
- **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于汽車和電動(dòng)車輛中的電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
- **示例**:在車載電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)中,62YW-VB能夠提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率輸出,確保車輛的動(dòng)力性能和能效優(yōu)化。
總之,62YW-VB是一款設(shè)計(jì)先進(jìn)、性能優(yōu)越的雙N+N溝道MOSFET,適合移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、工業(yè)控制和車載電子等多種低壓高電流應(yīng)用場(chǎng)合,為各類電子設(shè)備提供可靠的功率控制和電能轉(zhuǎn)換解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛