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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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65C6280-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 65C6280-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、65C6280-VB產(chǎn)品簡介

65C6280-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝,由VBsemi生產(chǎn)。該器件具有700V的漏源電壓和20A的最大漏極電流能力。采用SJ_Multi-EPI技術(shù),結(jié)合多重EPI工藝,提供較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的功率特性,適合要求高電壓和中等電流應(yīng)用的設(shè)計(jì)需求。

### 二、65C6280-VB詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | TO263 | 表面安裝封裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單通道N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 700V | 適用于中高壓應(yīng)用 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±30V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 3.5V | 柵源開啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 210mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 20A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | SJ_Multi-EPI | 多重EPI工藝,優(yōu)化導(dǎo)通特性和功率效率 |

### 三、65C6280-VB的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

65C6280-VB適用于多種中高壓、中等電流的電子設(shè)備和系統(tǒng):

1. **電源逆變器**
  - **應(yīng)用場景**:用于太陽能逆變器和工業(yè)電源逆變器中的功率開關(guān)。
  - **示例**:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中,65C6280-VB能夠提供可靠的功率開關(guān)和高效的電能轉(zhuǎn)換,支持穩(wěn)定的能源轉(zhuǎn)換和電力管理。

2. **電動(dòng)車充電樁**
  - **應(yīng)用場景**:適用于電動(dòng)車充電樁中的功率開關(guān)和電源管理。
  - **示例**:在公共充電站和私人電動(dòng)車充電設(shè)備中,65C6280-VB能夠支持高壓直流電源的穩(wěn)定輸出和高效能的充電控制,確保電動(dòng)車輛的快速充電和安全運(yùn)行。

3. **工業(yè)電力供應(yīng)**
  - **應(yīng)用場景**:用于工業(yè)設(shè)備和大型電力系統(tǒng)中的電源管理和功率控制。
  - **示例**:在工業(yè)機(jī)器人、電力驅(qū)動(dòng)設(shè)備和電網(wǎng)電力系統(tǒng)中,65C6280-VB能夠提供可靠的電力管理和精確的功率控制,支持工業(yè)設(shè)備的高效運(yùn)行和生產(chǎn)優(yōu)化。

綜上所述,65C6280-VB是一款適用于中高壓、中等電流需求的單N溝道MOSFET,通過其優(yōu)越的導(dǎo)通特性和高效率設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于電源逆變器、電動(dòng)車充電樁和工業(yè)電力供應(yīng)等領(lǐng)域,為各類電子設(shè)備和系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的功率解決方案。

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