91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

65C6380-VB TO252一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 65C6380-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 65C6380-VB  
**封裝:** TO252  
**配置:** 單N溝道  
**VDS:** 700V  
**VGS:** 30(±V)  
**Vth:** 3.5V  
**RDS(ON):** 390mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 11A  
**技術(shù):** SJ_Multi-EPI

65C6380-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于中等功率和高壓應(yīng)用場合。其特點包括700V的漏極-源極電壓(VDS),30V的柵極-源極電壓(VGS),以及3.5V的門限電壓(Vth)。具有較低的導(dǎo)通電阻,RDS(ON)在VGS=10V時為390mΩ,支持最大漏極電流(ID)達到11A。采用SJ_Multi-EPI技術(shù),能夠提供穩(wěn)定的性能和可靠的功率轉(zhuǎn)換能力。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 數(shù)值       |
|-------------------|----------|
| 型號                | 65C6380-VB |
| 封裝                | TO252     |
| 配置                | 單N溝道    |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 700V     |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 30(±V) |
| 門限電壓(Vth)      | 3.5V     |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))  | 390mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏極電流(ID)   | 11A      |
| 技術(shù)                | SJ_Multi-EPI |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源逆變器(Power Inverters):**
  65C6380-VB適用于中等功率的電源逆變器,可以用于太陽能逆變器和工業(yè)逆變器中的功率開關(guān),確保高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定運行。

2. **電動工具(Power Tools):**
  在高壓電動工具的電源管理電路中,這款MOSFET可以作為電池管理、馬達驅(qū)動和功率開關(guān)元件,支持工業(yè)級別的電源控制和高效能量傳輸。

3. **UPS系統(tǒng)(Uninterruptible Power Supplies):**
  在UPS系統(tǒng)的DC-AC逆變器階段,需要處理高壓直流電源的轉(zhuǎn)換,65C6380-VB能夠提供可靠的電源開關(guān)和低能量損耗,保證UPS設(shè)備的持續(xù)穩(wěn)定輸出。

通過以上示例,展示了65C6380-VB在電源逆變器、電動工具和UPS系統(tǒng)等領(lǐng)域中的應(yīng)用,為各種功率電子設(shè)備提供了高效的功率控制和穩(wěn)定性能保障。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    553瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    473瀏覽量