91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

6679P-VB一款Single-P溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 6679P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 6679P-VB  
**封裝:** TO220  
**配置:** 單P溝道  
**VDS:** -30V  
**VGS:** 20(±V)  
**Vth:** -2.5V  
**RDS(ON):** 11mΩ @ VGS=4.5V, 8mΩ @ VGS=10V  
**ID:** -70A  
**技術(shù):** Trench

6679P-VB是一款單P溝道功率MOSFET,設(shè)計用于低壓下的高電流應(yīng)用。其TO220封裝使其適合于需要高功率密度和散熱能力的電子設(shè)備中。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 數(shù)值                |
|-------------------|-------------------|
| 型號                | 6679P-VB           |
| 封裝                | TO220              |
| 配置                | 單P溝道              |
| 漏極-源極電壓(VDS) | -30V               |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 20(±V)            |
| 門限電壓(Vth)      | -2.5V              |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))  | 11mΩ @ VGS=4.5V, 8mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏極電流(ID)   | -70A               |
| 技術(shù)                | Trench             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源管理(Power Management):**
  6679P-VB適用于低壓直流電源管理,如電池管理系統(tǒng)和便攜式設(shè)備的功率開關(guān)模塊。其高效率和低導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)的能量利用率。

2. **電動工具(Power Tools):**
  在電動工具中,該型號MOSFET可用于電動機(jī)驅(qū)動器和電池充放電控制,確保工具的高效能和長期使用壽命。

3. **汽車電子(Automotive Electronics):**
  在汽車電子控制單元(ECU)中,6679P-VB可用于低壓系統(tǒng)的電源開關(guān)和控制,支持車輛內(nèi)部電子設(shè)備的高效運行。

4. **無線通信(Wireless Communication):**
  在低功耗設(shè)備和無線通信模塊中,該型號MOSFET能夠提供高效的電源管理和功率轉(zhuǎn)換,支持設(shè)備長時間的穩(wěn)定運行。

5. **消費電子產(chǎn)品(Consumer Electronics):**
  由于其高電流處理能力和良好的熱管理特性,6679P-VB適用于大功率消費電子產(chǎn)品,如高性能音響系統(tǒng)和游戲設(shè)備的電源控制模塊。

以上示例展示了6679P-VB在電源管理、電動工具、汽車電子、無線通信和消費電子產(chǎn)品等多個領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,其優(yōu)越的性能特性使其成為各種功率密集型應(yīng)用的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    553瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    473瀏覽量