91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

6680M-VB一款Single-N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 6680M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、6680M-VB產(chǎn)品簡介

6680M-VB是一款單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,結(jié)合了Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高效能特性。適用于需要高性能功率開關(guān)和電流控制的應(yīng)用場合。

### 二、6680M-VB詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | SOP8 | 小輕型封裝,適合表面貼裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單通道N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 30V | 最大漏源電壓 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±20V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 1.7V | 柵源開啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=4.5V** | 11mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 8mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 13A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | Trench | Trench結(jié)構(gòu),優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換效率 |

### 三、6680M-VB的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

6680M-VB適用于多種需要高效能功率開關(guān)和電流控制的應(yīng)用場合:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**
  - **應(yīng)用場景**:用于低電壓直流-直流轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)和電流控制。
  - **示例**:在手機(jī)充電器、電池供電設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中,6680M-VB能夠提供高效的電流管理和功率轉(zhuǎn)換功能,保證設(shè)備的高效能和長壽命。

2. **電動(dòng)工具**
  - **應(yīng)用場景**:適用于電動(dòng)工具中的電機(jī)控制和電源管理。
  - **示例**:在電動(dòng)鉆、電動(dòng)鋸和電動(dòng)剪等工業(yè)和家用電動(dòng)工具中,6680M-VB可以作為電機(jī)控制和功率開關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換和工具操作的可靠性。

3. **汽車電子**
  - **應(yīng)用場景**:用于汽車電子系統(tǒng)中的電池管理和動(dòng)力分配控制。
  - **示例**:在汽車電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)汽車電機(jī)控制和車載電子設(shè)備中,6680M-VB可作為關(guān)鍵的功率開關(guān)和電流控制器,確保汽車電子系統(tǒng)的高效能運(yùn)行和長期可靠性。

綜上所述,6680M-VB是一款適用于低電壓電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)工具和汽車電子系統(tǒng)的單N溝道MOSFET,通過其優(yōu)化的Trench結(jié)構(gòu)和高性能特性,能夠滿足各類電子設(shè)備和系統(tǒng)對功率開關(guān)和電流控制的需求,提升設(shè)備的效率和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    553瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    473瀏覽量