--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:** 6800GEO-VB
**封裝:** TSSOP8
**配置:** 共柵-N+N-溝道
**VDS:** 20V
**VGS:** 20(±V)
**Vth:** 0.5~1.5V
**RDS(ON):** 32mΩ @ VGS=2.5V, 22mΩ @ VGS=4.5V
**ID:** 6.6A
**技術(shù):** Trench

6800GEO-VB是一款集成了共柵-N+N-溝道結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,適用于低壓和中功率應(yīng)用。其TSSOP8封裝具有較小的占用空間,適合于要求緊湊和高集成度的電子設(shè)備。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|-------------------|-------------------|
| 型號 | 6800GEO-VB |
| 封裝 | TSSOP8 |
| 配置 | 共柵-N+N-溝道 |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 20V |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 20(±V) |
| 門限電壓范圍(Vth) | 0.5~1.5V |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) | 32mΩ @ VGS=2.5V, 22mΩ @ VGS=4.5V |
| 最大漏極電流(ID) | 6.6A |
| 技術(shù) | Trench |
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **電源管理(Power Management):**
6800GEO-VB適用于低壓電源管理,如智能手機、平板電腦和便攜式消費電子產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換和電池管理模塊。其低導(dǎo)通電阻和高效能特性有助于延長電池使用時間。
2. **可穿戴設(shè)備(Wearable Devices):**
在小型和低功耗的可穿戴設(shè)備中,該型號MOSFET可用于電源管理和信號處理電路,支持設(shè)備的穩(wěn)定運行和長時間使用。
3. **工業(yè)控制(Industrial Control):**
在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,6800GEO-VB可以作為電機驅(qū)動器和電源開關(guān),確保設(shè)備的高效運行和精確控制。
4. **汽車電子(Automotive Electronics):**
由于其小尺寸和可靠性,該型號MOSFET可用于汽車電子控制單元(ECU)中的低壓電源開關(guān)和控制,支持車輛內(nèi)部電子設(shè)備的高效能供電。
5. **通信設(shè)備(Communication Devices):**
在通信基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,6800GEO-VB能夠提供穩(wěn)定的電源管理和功率轉(zhuǎn)換,確保設(shè)備的持續(xù)性能和可靠性。
以上示例展示了6800GEO-VB在電源管理、可穿戴設(shè)備、工業(yè)控制、汽車電子和通信設(shè)備等多個領(lǐng)域中的應(yīng)用潛力,其優(yōu)越的電性能和封裝特性使其適合于各種中低功率電子應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12