91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

6N20E-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 6N20E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、6N20E-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

6N20E-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝和Trench技術(shù),具有高漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻。該器件設(shè)計(jì)用于需要中等功率開(kāi)關(guān)和電流控制的應(yīng)用場(chǎng)合。

### 二、6N20E-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | TO252 | 表面貼裝封裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單個(gè)N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 200V | 最大漏源電壓 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±20V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 3V | 柵源開(kāi)啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 245mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 10A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | Trench | Trench結(jié)構(gòu),優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換效率 |

### 三、6N20E-VB的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

6N20E-VB適用于多種需要中等功率開(kāi)關(guān)和電流控制的場(chǎng)合:

1. **電源管理**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于電源逆變器和開(kāi)關(guān)電源的功率開(kāi)關(guān)和電流控制。
  - **示例**:在工業(yè)電源和家用電源逆變器中,6N20E-VB能夠有效地實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換和電流管理,提供穩(wěn)定可靠的電源輸出。

2. **照明控制**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:適用于LED驅(qū)動(dòng)器和照明控制系統(tǒng)中的電流控制和功率開(kāi)關(guān)。
  - **示例**:在LED燈具和照明系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路中,6N20E-VB作為功率開(kāi)關(guān)器件,能夠有效地調(diào)節(jié)電流和控制功率,提升照明系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。

3. **電動(dòng)工具**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于電動(dòng)工具中的電機(jī)控制和電源管理。
  - **示例**:在電動(dòng)工具如電動(dòng)鉆和電動(dòng)鋸的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,6N20E-VB可以作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān),確保電機(jī)的高效運(yùn)行和長(zhǎng)時(shí)間使用。

綜上所述,6N20E-VB是一款適用于電源管理、照明控制和電動(dòng)工具的單N溝道MOSFET。其優(yōu)化的Trench結(jié)構(gòu)和高性能特性使其成為各類中等功率應(yīng)用中的理想選擇,能夠提供可靠的功率開(kāi)關(guān)和電流控制功能,滿足各類電子設(shè)備和系統(tǒng)的要求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    554瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    473瀏覽量