--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 6NC80-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
6NC80-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO220封裝。它具有800V的漏源電壓和5A的漏電流能力,適合于需要中等電壓和電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)合。采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景。
### 6NC80-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220
- **極性配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:800V
- **柵源電壓 (VGS)**:30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1300mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**:5A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI

### 6NC80-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電動(dòng)車充電器**:6NC80-VB適用于電動(dòng)車充電器中的開關(guān)電源和充電控制模塊。其800V的漏源電壓和5A的漏電流能力能夠滿足電動(dòng)車大容量電池組的充電需求,同時(shí)其低導(dǎo)通電阻保證了充電效率和安全性。
2. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用作高壓開關(guān)和電路保護(hù)器件。其穩(wěn)定的性能和熱穩(wěn)定性使其適合用于工廠自動(dòng)化設(shè)備和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,確保設(shè)備在惡劣工作環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
3. **UPS(不間斷電源)系統(tǒng)**:在UPS系統(tǒng)中,6NC80-VB的高電壓和中等電流能力使其成為關(guān)鍵的開關(guān)元件。它能夠在電網(wǎng)電源故障時(shí)迅速切換至備用電源,保障關(guān)鍵設(shè)備和系統(tǒng)的持續(xù)供電。
通過這些應(yīng)用示例,可以看出6NC80-VB MOSFET適用于需要中等至高電壓、中等電流處理能力的多種電力電子設(shè)備,為其提供穩(wěn)定可靠的性能支持。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛