--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
6R190C6-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適合于中高功率和中高壓的電力電子應(yīng)用。它具備較低的導(dǎo)通電阻和高連續(xù)漏極電流能力,適用于要求高效能和可靠性的功率管理系統(tǒng)。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 6R190C6-VB
- **封裝**: TO220F
- **類型**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電動(dòng)車輛充電器**:
- **描述**: 6R190C6-VB 可以用作電動(dòng)車輛充電器中的功率開關(guān),支持高功率和高效率的電力轉(zhuǎn)換。
- **示例**: 電動(dòng)汽車充電樁、電動(dòng)車充電管理模塊。
2. **電力逆變器**:
- **描述**: 在電力逆變器中,該 MOSFET 可以用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,適用于太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換。
- **示例**: 太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器模塊。
3. **電源開關(guān)**:
- **描述**: 6R190C6-VB 可以作為電源開關(guān)器件,用于工業(yè)和商業(yè)電源系統(tǒng)中,確保穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和供應(yīng)。
- **示例**: 工業(yè)設(shè)備的電源管理系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心的電力分配模塊。
4. **電動(dòng)工具**:
- **描述**: 在電動(dòng)工具和家用電器中,該 MOSFET 可以用于電機(jī)控制和功率管理,提供高效能的電力輸出。
- **示例**: 電動(dòng)鉆機(jī)、吸塵器和其他家電的電動(dòng)控制模塊。
5. **工業(yè)自動(dòng)化**:
- **描述**: 6R190C6-VB 適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開關(guān)和電力管理,支持設(shè)備的高效能和穩(wěn)定性。
- **示例**: 自動(dòng)化生產(chǎn)線的電力控制模塊、機(jī)器人和自動(dòng)化設(shè)備的電源管理系統(tǒng)。
通過以上應(yīng)用示例,可以看出 6R190C6-VB 在各種中高功率、中高壓的電力電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用前景,能夠提升系統(tǒng)的性能和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛