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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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6R190E6-VB TO220一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 6R190E6-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳述:

MOSFET型號:6R190E6-VB TO220  
封裝:TO220  
構(gòu)型:單N溝道  
耐壓(VDS):650V  
柵極-源極電壓(VGS):±30V  
閾值電壓(Vth):3.5V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):160mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):20A  
技術(shù):SJ_Multi-EPI  

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO220,適合中功率應(yīng)用。
- **構(gòu)型**:單N溝道設(shè)計,優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度。
- **耐壓**:650V,適用于要求高耐壓的電源和功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
- **柵極驅(qū)動**:支持高達(dá)±30V的柵極-源極電壓,提供靈活的控制。
- **閾值電壓**:3.5V,確保適當(dāng)?shù)拈_啟和關(guān)閉特性。
- **導(dǎo)通電阻**:160mΩ @ VGS=10V,低導(dǎo)通電阻減少功率損耗。
- **漏極電流**:20A,適合處理較高電流的應(yīng)用。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:由于其高耐壓特性和低導(dǎo)通電阻,6R190E6-VB TO220 MOSFET 可以用于設(shè)計開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器,有效管理能量轉(zhuǎn)換和損耗。
  
2. **工業(yè)驅(qū)動器**:在工業(yè)設(shè)備中,這種MOSFET可以作為驅(qū)動和開關(guān)裝置,支持大功率的電動機(jī)控制和變頻器應(yīng)用。

3. **照明應(yīng)用**:適合用于LED驅(qū)動和高效率照明系統(tǒng),幫助提高能源利用率并降低操作成本。

4. **電動車充電器**:應(yīng)用于電動車充電器中,通過有效地控制電流和電壓,保證充電效率和安全性。

這些示例展示了6R190E6-VB TO220 MOSFET在不同領(lǐng)域和模塊中的多樣化應(yīng)用,突顯了其在高功率、高效率電子系統(tǒng)中的價值和作用。

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