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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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6R190P6-VB TO220F一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 6R190P6-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

MOSFET型號(hào):6R190P6-VB  
封裝:TO220F  
配置:?jiǎn)蜰溝道  
耐壓(VDS):650V  
柵極-源極電壓(VGS):±30V  
閾值電壓(Vth):3.5V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):160mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):20A  
技術(shù):SJ_Multi-EPI

### 參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類型(Package):** TO220F,適合于中功率應(yīng)用,具有良好的散熱特性。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適合開關(guān)和線性應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 650V,適合于高電壓應(yīng)用。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V,支持寬廣的驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V,確??煽康拈_關(guān)控制。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 160mΩ @ VGS=10V,低導(dǎo)通電阻,減少導(dǎo)通時(shí)的功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 20A,能夠處理較高的電流負(fù)載。
- **技術(shù)特性(Technology):** SJ_Multi-EPI,采用多重EPI工藝,提高了性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源逆變器模塊:** 6R190P6-VB的高耐壓特性和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于工業(yè)和商業(yè)電源逆變器中,提供高效率的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
  
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制:** 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制模塊中,這款MOSFET可以有效地管理電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié),同時(shí)保證系統(tǒng)的可靠性和安全性。
  
3. **電動(dòng)車充電樁:** 由于6R190P6-VB具有較高的漏極電流和良好的熱穩(wěn)定性,適合用于電動(dòng)車充電樁中,支持大功率充電需求。

這些示例展示了6R190P6-VB在不同領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,充分發(fā)揮其高性能和可靠性特點(diǎn)。

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