--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介
6R380E6-VB 是一款單通道 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝。它具有高達650V的漏極-源極電壓(VDS),適合中高壓應(yīng)用。此產(chǎn)品采用了 Plannar 技術(shù),結(jié)合了可靠性和性能。
### 2. 參數(shù)說明
- **封裝類型:** TO220F
- **通道類型:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 650V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 320mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 20A
- **技術(shù):** Plannar

### 3. 應(yīng)用示例
6R380E6-VB 適用于多種領(lǐng)域和模塊,以下是一些示例:
- **電源供應(yīng)器:** 在需要中等到高電壓和電流的電源供應(yīng)器中,6R380E6-VB 的高電壓額定和適中的導(dǎo)通電阻使其能夠提供高效率和穩(wěn)定性。
- **電動車充電器:** 在電動車充電器中,需要處理高電壓直流和中等電流的 MOSFET 可以使用 6R380E6-VB,其性能和可靠性能夠支持快速充電和長期使用。
- **工業(yè)控制系統(tǒng):** 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,需要處理各種電力需求的場合,6R380E6-VB 的特性使其成為控制和驅(qū)動電路的理想選擇。
這些示例展示了 6R380E6-VB 在處理中等到高電壓和電流的應(yīng)用時的優(yōu)越性能和廣泛適用性,通過其 Plannar 技術(shù)和優(yōu)秀的電氣特性,支持了多個領(lǐng)域的工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用需求。
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