--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 7030BL-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
7030BL-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO263封裝。它具有30V的漏源電壓和高達(dá)98A的漏電流能力,適合高功率應(yīng)用場合。采用了Trench技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的熱特性,適用于要求高效能量轉(zhuǎn)換和高電流處理的應(yīng)用。
### 7030BL-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO263
- **極性配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.7mΩ @ VGS=4.5V
- 2.4mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**:98A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 7030BL-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源供應(yīng)**:7030BL-VB適用于高電流的電源供應(yīng)模塊,如服務(wù)器電源和高性能計(jì)算機(jī)的電源管理單元。其高漏電流和低導(dǎo)通電阻確保了高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. **電動工具**:在電動工具中,如電動汽車電機(jī)控制和電池管理系統(tǒng),這款MOSFET可以用于電流控制和開關(guān)電源,提升電動工具的性能和工作效率。
3. **工業(yè)自動化**:作為工業(yè)自動化系統(tǒng)中的開關(guān)器件,7030BL-VB能夠處理高功率和高電流要求,適用于機(jī)器人控制系統(tǒng)、自動化生產(chǎn)線和工廠設(shè)備。
綜上所述,7030BL-VB MOSFET適用于需要高功率處理能力和高電流要求的多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括電源供應(yīng)、電動工具和工業(yè)自動化,為這些領(lǐng)域的電子設(shè)備提供了穩(wěn)定和高效的功率控制解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它