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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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70N03 CMU70N03L-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 70N03 CMU70N03L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號(hào):70N03 CMU70N03L-VB  
封裝:TO251  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):30V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1.7V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):4.5mΩ @ VGS=4.5V, 3.5mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):100A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO251,適合中功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能和緊湊的封裝尺寸。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開關(guān)和線性控制應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 30V,適合低電壓應(yīng)用場(chǎng)合。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V,確保可靠的開關(guān)操作。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V,在低驅(qū)動(dòng)電壓下的導(dǎo)通電阻。
 - 3.5mΩ @ VGS=10V,在標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電壓下的更低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 100A,能夠處理大電流負(fù)載。
- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源管理模塊:** 70N03 CMU70N03L-VB適用于電源管理模塊,例如筆記本電腦和移動(dòng)設(shè)備中的電池管理系統(tǒng),支持高效率和長電池壽命。
  
2. **電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng):** 在電動(dòng)工具中,這款MOSFET可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理,確保工具的高功率輸出和長期穩(wěn)定性。
  
3. **電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng):** 由于其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻特性,適合用于電動(dòng)汽車的電池管理和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),提升車輛的動(dòng)力和續(xù)航能力。

這些示例展示了70N03 CMU70N03L-VB在不同領(lǐng)域和應(yīng)用模塊中的廣泛應(yīng)用,顯示出其在高電流和低壓降條件下的優(yōu)異性能和可靠性。

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