91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

70N10F4-VB TO262一款Single-N溝道TO262的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 70N10F4-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 TO262
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介:

MOSFET型號:70N10F4-VB  
封裝:TO262  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):100V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):2.5V  
導通電阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):100A  
技術:Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO262,適合中功率應用,具有良好的散熱性能和緊湊的封裝尺寸。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開關和線性控制應用。
- **耐壓(VDS):** 100V,適合中高壓電路和電源管理系統(tǒng)。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的驅動電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 2.5V,確??煽康拈_關操作。
- **導通電阻(RDS(ON)):** 
 - 10mΩ @ VGS=4.5V,在低驅動電壓下的導通電阻。
 - 9mΩ @ VGS=10V,在標準驅動電壓下的更低導通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 100A,能夠處理大電流負載。
- **技術特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結構,提升了器件的性能和可靠性。

### 應用示例:

1. **電源開關和穩(wěn)壓模塊:** 70N10F4-VB適用于電源開關和穩(wěn)壓模塊,如服務器電源和工業(yè)電源系統(tǒng)中的高效能電源管理。
  
2. **電動車輛電機驅動:** 在電動汽車和電動自行車的電機驅動系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電機控制和高效能能量轉換,提升車輛的動力性能和行駛距離。
  
3. **工業(yè)自動化設備:** 由于其高電流和低導通電阻特性,適合用于工業(yè)自動化設備中的電機控制、電源開關和驅動電路,確保設備的穩(wěn)定運行和高效能。

這些示例展示了70N10F4-VB在不同領域和應用模塊中的廣泛應用,顯示出其在高電壓、高電流和高效能要求下的優(yōu)異性能和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    553瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    473瀏覽量