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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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71240E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 71240E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT669
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號:71240E-VB  
封裝:SOT669  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):40V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1.4V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):2.4mΩ @ VGS=4.5V, 2mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):100A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** SOT669,適合小型電路板應(yīng)用,具有緊湊的封裝尺寸和良好的散熱特性。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開關(guān)和線性控制應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 40V,適合低電壓應(yīng)用場合。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的驅(qū)動電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 1.4V,確??煽康拈_關(guān)操作。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 2.4mΩ @ VGS=4.5V,在低驅(qū)動電壓下的導(dǎo)通電阻。
 - 2mΩ @ VGS=10V,在標準驅(qū)動電壓下的更低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 100A,能夠處理大電流負載。
- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電動工具和家用電器:** 71240E-VB適用于電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動和電源管理,如電動剪刀、吸塵器等,提供高效能和長壽命。
  
2. **電池管理系統(tǒng):** 在移動設(shè)備和電動車輛的電池管理系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電池充放電控制和功率轉(zhuǎn)換,優(yōu)化能源使用和延長電池壽命。
  
3. **電源開關(guān)和穩(wěn)壓模塊:** 由于其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻特性,適合用于電源開關(guān)和穩(wěn)壓模塊,如工業(yè)自動化設(shè)備和服務(wù)器電源系統(tǒng),確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運行。

這些示例展示了71240E-VB在不同領(lǐng)域和應(yīng)用模塊中的廣泛應(yīng)用,顯示出其在高電流和低壓降條件下的優(yōu)異性能和可靠性。

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