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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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75960E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 75960E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT669
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

MOSFET型號(hào):75960E-VB  
封裝:SOT669  
配置:?jiǎn)蜰溝道  
耐壓(VDS):60V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1~3V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):7.8mΩ @ VGS=4.5V, 6.2mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):64A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** SOT669,適合中功率應(yīng)用,具有較小的封裝體積和良好的散熱性能。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開關(guān)和線性控制應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 60V,適合中等電壓應(yīng)用場(chǎng)合。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 1~3V,可根據(jù)應(yīng)用需求調(diào)整門控電壓,提供靈活性。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 7.8mΩ @ VGS=4.5V,在低驅(qū)動(dòng)電壓下的導(dǎo)通電阻。
 - 6.2mΩ @ VGS=10V,在標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電壓下的更低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 64A,能夠處理較大電流負(fù)載,適合需要高功率處理能力的場(chǎng)合。
- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源管理:** 75960E-VB可以用于各種電源管理應(yīng)用,如開關(guān)電源、DC-DC變換器和電池管理系統(tǒng),提供高效能和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電動(dòng)工具和家用電器:** 在電動(dòng)工具和家用電器中,這款MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率控制,如電動(dòng)剃須刀、吸塵器等,提升設(shè)備的性能和可靠性。

3. **汽車電子:** 在汽車電子系統(tǒng)中,75960E-VB適用于電動(dòng)汽車的電池管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率逆變器,支持車輛的高效能和低能耗。

75960E-VB展示了其在高電流和中等電壓條件下的優(yōu)異性能,適用于多種需要高功率處理和可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合。

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