--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳述:
MOSFET型號(hào):75N03-VB
封裝:TO220
構(gòu)型:?jiǎn)蜰溝道
耐壓(VDS):30V
柵極-源極電壓(VGS):±20V
閾值電壓(Vth):1.7V
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):4mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
漏極電流(ID):120A
技術(shù):Trench

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類型**:TO220,適合中功率應(yīng)用和一般散熱要求的場(chǎng)合。
- **構(gòu)型**:?jiǎn)蜰溝道設(shè)計(jì),優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度。
- **耐壓**:30V,適合低壓電路的控制和開關(guān)。
- **柵極驅(qū)動(dòng)**:支持±20V的柵極-源極電壓,提供靈活的控制范圍。
- **閾值電壓**:1.7V,確保在適當(dāng)?shù)碾妷合掠行ч_啟和關(guān)閉。
- **導(dǎo)通電阻**:4mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V,低導(dǎo)通電阻提供了較低的開關(guān)損耗和高效的功率轉(zhuǎn)換。
- **漏極電流**:120A,能夠處理大電流負(fù)載的需求。
### 應(yīng)用示例:
1. **電動(dòng)汽車**:75N03-VB TO220 MOSFET 可用于電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和電池管理單元,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和動(dòng)力輸出控制。
2. **電源模塊**:在工業(yè)電源模塊中,作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,用于電壓變換和電力調(diào)節(jié),確保穩(wěn)定的電力輸出和設(shè)備的可靠運(yùn)行。
3. **電池保護(hù)電路**:用于鋰電池保護(hù)電路中的電流開關(guān)和電壓控制,確保電池系統(tǒng)的安全性和長(zhǎng)壽命。
4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在高頻率的DC-DC轉(zhuǎn)換器中,用作功率開關(guān)和電壓調(diào)節(jié)器,提供高效的能源轉(zhuǎn)換和電路穩(wěn)定性。
5. **電源管理單元**:用于各種功率管理單元中的電流開關(guān)和電壓調(diào)節(jié),例如服務(wù)器電源和通信設(shè)備的電源模塊。
這些示例展示了75N03-VB TO220 MOSFET在多個(gè)高功率、高效能電子系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用,顯示了其在電動(dòng)汽車、工業(yè)電源和電池管理等領(lǐng)域的優(yōu)異性能和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛