91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

75N07GS-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 75N07GS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N溝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

MOSFET型號(hào):75N07GS-VB  
封裝:TO263  
配置:?jiǎn)蜰溝道  
耐壓(VDS):80V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):3V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):120A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO263,適合中高功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于高效的功率開關(guān)和控制電路設(shè)計(jì)。
- **耐壓(VDS):** 80V,能夠處理中等電壓范圍的電路需求。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 3V,設(shè)定了啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門電壓。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 10mΩ @ VGS=4.5V,在低驅(qū)動(dòng)電壓下的導(dǎo)通電阻。
 - 6mΩ @ VGS=10V,在標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電壓下的更低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 120A,適合需要處理高電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)合。
- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的開關(guān)速度和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源轉(zhuǎn)換器:** 75N07GS-VB可用于DC-DC變換器和AC-DC電源轉(zhuǎn)換器中,提供高效率和穩(wěn)定的電源輸出。
  
2. **電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛:** 在電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛的電機(jī)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理和功率逆變器,支持高功率輸出和低能耗運(yùn)行。
  
3. **工業(yè)自動(dòng)化:** 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,如電焊設(shè)備和機(jī)器人控制系統(tǒng),75N07GS-VB可以用于功率開關(guān)和控制電路,提供可靠的性能和長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

75N07GS-VB結(jié)合了高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)勢(shì),適合各種需要高效能和可靠性的功率電子應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    553瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    472瀏覽量